Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYD33M

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BYD33M. Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V
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Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V
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Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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