BYT30P-1000

BYT30P-1000. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: peça metálica conectada ao cátodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.