Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYV32E-200

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BYV32E-200. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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MUR1620CT

MUR1620CT

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Fu...
MUR1620CT
Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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MUR1660CT

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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Fu...
MUR1660CT
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 100Ap
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 100Ap
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BYV32E-200

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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo c...
BYV32E-200
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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