Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYV32E-200

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5 - 9 1.12€ 1.38€
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BYV32E-200. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 04:25.

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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR1620CT
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 100Ap
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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT7...
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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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