Transistores IGBT

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 28A. Corrente máxima do coletor (A): 58A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 34A. Corrente máxima do coletor (A): 68A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 23A. Corrente máxima do coletor (A): 92A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 91 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 42A. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40K. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 42A. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 140 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40W. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 55 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50F. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 31 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 52A. Corrente máxima do coletor (A): 104A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 63 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PF50W. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 900V. Corrente do coletor Ic [A]: 51A. Corrente máxima do coletor (A): 204A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 29 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 29 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH20KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 11A. Corrente máxima do coletor (A): 22A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH40K. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 30A. Corrente máxima do coletor (A): 60A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH40UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 82A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 46 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. C (pol.): 825pF. Custo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo de germânio: sim. Corrente do coletor: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: resistores integrados R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Marcação na caixa: GB14C40L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.3 ns. Td(ligado): 1.35 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2.2V

Transistor IGBT. C (pol.): 3025pF. Custo): 245pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 145 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 39N60BD1. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 76A. Corrente máxima do coletor (A): 152A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. C (pol.): 760pF. Custo): 220pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 480A. Ic(pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 226 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor IGBT. C (pol.): 9830pF. Custo): 570pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: IGBT de alta velocidade para comutação de 20-50kHz. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 310A. Ic(pulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcação na caixa: IXYK140N90C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGH80N60UF. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 80A. Corrente máxima do coletor (A): 220A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 195W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGW25N120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 46A. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 990 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 389 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): tubo de plástico. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V