Transistores IGBT

Transistor IGBT. C (pol.): 2870pF. Custo): 295pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcação na caixa: GW20NC60KD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 164 ns. Td(ligado): 46 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor IGBT. C (pol.): 8000pF. Custo): 280pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: GW60V60DF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 216 ns. Td(ligado): 57 ns. Carcaça: TO-247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V