Transistores IGBT

Transistor IGBT. C (pol.): 9830pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: IGBT de alta velocidade para comutação de 20-50kHz. Corrente do coletor: 310A. Ic(pulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcação na caixa: IXYK140N90C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGH80N60UF. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 80A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 195W. Corrente máxima do coletor (A): 220A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGW25N120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 46A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 990 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 389 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): tubo de plástico. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V

Transistor IGBT. C (pol.): 2870pF. Custo): 295pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcação na caixa: GW20NC60KD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 164 ns. Td(ligado): 46 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor IGBT. C (pol.): 8000pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: GW60V60DF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 216 ns. Td(ligado): 57 ns. Carcaça: TO-247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS