Transistor IGBT STGW60V60DF. C (pol.): 8000pF. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 80A. Custo): 280pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Diodo de germânio: não. Ic(T=100°C): 60A. Ic(pulso): 240A. Marcação na caixa: GW60V60DF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Td(desligado): 216 ns. Td(ligado): 57 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40