Transistor IGBT STGW40NC60KD. C (pol.): 2870pF. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 70A. Custo): 295pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Diodo de germânio: não. Função: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Ic(T=100°C): 38A. Ic(pulso): 220A. Marcação na caixa: GW20NC60KD. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(desligado): 164 ns. Td(ligado): 46 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40