Transistor IGBT SKW30N60HS. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. C (pol.): 1500pF. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente do coletor: 41A. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Função: IGBT de alta velocidade em tecnologia NPT. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. IP de corrente de pico de coletor [A]: 112A. Ic(T=100°C): 30A. Ic(pulso): 112A. Marcação do fabricante: K30N60HS. Marcação na caixa: K30N60HS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão limite do diodo: 1.95V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40