Transistor IGBT SGP30N60HS
Quantidade
Preço unitário
1-49
5.93€
50+
4.64€
| Quantidade em estoque: 103 |
Transistor IGBT SGP30N60HS. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: Transistor IGBT. IP de corrente de pico de coletor [A]: 112A. Marcação do fabricante: G30N60HS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:39
SGP30N60HS
15 parâmetros
Atraso de desligamento tf[nsec.]
122 ns
Carcaça
TO-220AB
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
41A
Dissipação máxima Ptot [W]
250W
Família de componentes
Transistor IGBT
IP de corrente de pico de coletor [A]
112A
Marcação do fabricante
G30N60HS
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
16 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
600V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
Infineon