Transistor IGBT SGW25N120
Quantidade
Preço unitário
1-9
23.61€
10+
19.67€
| Quantidade em estoque: 51 |
Transistor IGBT SGW25N120. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 990 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 46A. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Família de componentes: Transistor IGBT. IP de corrente de pico de coletor [A]: 84A. Marcação do fabricante: SGW25N120. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:16
SGW25N120
15 parâmetros
Atraso de desligamento tf[nsec.]
990 ns
Carcaça
TO-247AC
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
46A
Dissipação máxima Ptot [W]
313W
Família de componentes
Transistor IGBT
IP de corrente de pico de coletor [A]
84A
Marcação do fabricante
SGW25N120
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
60 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
1.2 kV
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
Infineon