Transistor IGBT SGW25N120

Transistor IGBT SGW25N120. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGW25N120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 46A. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 990 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.