Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. C (pol.): 825pF. Carcaça: TO-220. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 20A. Custo): 150pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: sim. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Ic(T=100°C): 14A. Marcação na caixa: GB14C40L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: resistores integrados R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Td(desligado): 8.3 ns. Td(ligado): 1.35 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2.2V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 50. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35