Transistor IGBT IRGB14C40LPBF

Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. Transistor IGBT. C (pol.): 825pF. Custo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo de germânio: sim. Corrente do coletor: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: resistores integrados R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Marcação na caixa: GB14C40L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.3 ns. Td(ligado): 1.35 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2.2V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.