Transistor IGBT SGW30N60HS. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. C (pol.): 1500pF. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente do coletor: 41A. Custo): 200pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: Transistor IGBT. Função: Comutação de alta velocidade. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. IP de corrente de pico de coletor [A]: 112A. Ic(T=100°C): 30A. Ic(pulso): 112A. Marcação do fabricante: G30N60HS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40