Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. C (pol.): 3300pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 51A. Corrente do coletor: 51A. Custo): 200pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Família de componentes: Transistor IGBT. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). IP de corrente de pico de coletor [A]: 204A. Ic(T=100°C): 28A. Ic(pulso): 204A. Marcação do fabricante: IRG4PF50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 29 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 29 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 900V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35