Transistor IGBT IRG4PF50WPBF

Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PF50W. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 900V. Corrente do coletor Ic [A]: 51A. Corrente máxima do coletor (A): 204A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 29 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 29 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 06:25.