Transistor IGBT SGH80N60UFDTU

Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGH80N60UF. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 80A. Corrente máxima do coletor (A): 220A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 195W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 08:25.