Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 80A. Dissipação máxima Ptot [W]: 195W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. IP de corrente de pico de coletor [A]: 220A. Marcação do fabricante: SGH80N60UF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:16