Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 39N60BD1. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 76A. Corrente máxima do coletor (A): 152A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.