Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Quantidade
Preço unitário
1+
28.18€
Quantidade em estoque: 13

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 76A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. IP de corrente de pico de coletor [A]: 152A. Marcação do fabricante: 39N60BD1. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:16

Documentação técnica (PDF)
IXGH39N60BD1
15 parâmetros
Atraso de desligamento tf[nsec.]
500 ns
Carcaça
TO-247AD
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
76A
Dissipação máxima Ptot [W]
200W
Família de componentes
Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado
IP de corrente de pico de coletor [A]
152A
Marcação do fabricante
39N60BD1
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
25 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
600V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
IXYS