Transistor IGBT SGW30N60

Transistor IGBT SGW30N60. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 389 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.