Transistor IGBT SGW30N60

Transistor IGBT SGW30N60

Quantidade
Preço unitário
1+
12.10€
Quantidade em estoque: 82

Transistor IGBT SGW30N60. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 389 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: Transistor IGBT. IP de corrente de pico de coletor [A]: 112A. Marcação do fabricante: G30N60. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:16

Documentação técnica (PDF)
SGW30N60
15 parâmetros
Atraso de desligamento tf[nsec.]
389 ns
Carcaça
TO-247AC
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
41A
Dissipação máxima Ptot [W]
250W
Família de componentes
Transistor IGBT
IP de corrente de pico de coletor [A]
112A
Marcação do fabricante
G30N60
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
53 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
600V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
Infineon