Transistor IGBT IXYK140N90C3. C (pol.): 9830pF. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 310A. Custo): 570pF. Diodo CE: não. Diodo Trr (mín.): -. Diodo de germânio: não. Função: IGBT de alta velocidade para comutação de 20-50kHz. Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Ic(T=100°C): 140A. Ic(pulso): 840A. Marcação na caixa: IXYK140N90C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 19:59