Transistor IGBT IXXK200N65B4

Transistor IGBT IXXK200N65B4. Transistor IGBT. C (pol.): 760pF. Custo): 220pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 480A. Ic(pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 226 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Produto original do fabricante IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.