Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD250C. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD438. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD437. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD440. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: caixa isolada . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: NF-L. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62.5W. RoHS: sim. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD652. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD678. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD677A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD679. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682G. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD810G. Frequência de corte ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C