Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N93003. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: transistor complementar (par) STN83003. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -20V, -1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -20V. Corrente do coletor: -1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 1W. Frequência máxima: 65MHz

Transistor NPN, -45V, -1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 150MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Função: comutação, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP126. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V, -100V, -5A. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -5A. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 75W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP122

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Custo): 300pF. Condicionamento: tubo de plástico. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP122G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP127. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): 70pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: 8A. Ganho máximo de hFE: 15000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 12V. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP132. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP147. Frequência de corte ft [MHz]: 500. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP142

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP142T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, -100V, -10A, TO-3P. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -10A. Carcaça: TO-3P. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 125W

Transistor NPN, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V, -100V, -15A. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Corrente do coletor: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -15A. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP2955. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 90W. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Nota: transistor complementar (par) TIP3055. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP30. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Custo): 160pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-247. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP33C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 45pF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Corrente do coletor: 25A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP33C. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Spec info: transistor complementar (par) TIP35C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 100V, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP36CG. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP41C. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 65W

Transistor NPN, -100V, -6A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 6D. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Material semicondutor: silício. Função: 1.6mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corrente do coletor: 100nA (ICBO). Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SM-8. Tensão: 60V. Ganho máximo de hFE: 100 (500mA, 2V). Número de terminais: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 2.75W. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura operacional: -55°C ~ 150°C. Quantidade por caixa: 2. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)