Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Spec info: serigrafia/código SMD 6D. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 1.6mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corrente do coletor: 100nA (ICBO). Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SM-8. Quantidade por caixa: 2. Tensão: 60V. Ganho máximo de hFE: 100 (500mA, 2V). Número de terminais: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 2.75W. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura operacional: -55°C ~ 150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX451. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ZTX653. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZTX758. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 150. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ZTX690. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 600 ns. Tf(min): 35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,95V. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 300. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 750 ns. Tf(min): 35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V