Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C
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10 - 24 0.69€ 0.85€
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C. Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP41C. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 65W. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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BD244C

BD244C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem...
BD244C
Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD244C. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C
BD244C
Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD244C. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Habitação (co...
BD244CG
Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -100V. C (pol.): -6A. Custo): 65W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD244CG
Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -100V. C (pol.): -6A. Custo): 65W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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