Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N93003. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) STN83003. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V

Transistor NPN, -20V, -1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -20V. Corrente do coletor: -1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 1W. Frequência máxima: 65MHz. Aplicações: Audio

Transistor NPN, -45V, -1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 150MHz. Aplicações: Audio

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP126. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP122. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 75pF. Custo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Custo): 300pF. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP122G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP127. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP137. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, -100V, 100V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -100V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP147. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementar (par) TIP142T. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 70V. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. RoHS: sim. Nota: transistor complementar (par) TIP3055. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP30. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Custo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, TO-247, 10A, TO-247, 140V. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. RoHS: sim. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) TIP33C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V

Transistor NPN, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor: 25A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) TIP35C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Custo): 45pF. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1512. Ganho máximo de hFE: 50

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 100V, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP36CG. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP41C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -100V, -6A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Spec info: serigrafia/código SMD 6D. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: 1.6mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corrente do coletor: 100nA (ICBO). Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SM-8. Quantidade por caixa: 2. Tensão: 60V. Ganho máximo de hFE: 100 (500mA, 2V). Número de terminais: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 2.75W. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura operacional: -55°C ~ 150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX451. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V