Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Aplicações de comutação e amplificador. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementar (par) 2N3055. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ2955G. Frequência de corte ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 115W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J45H11. Frequência de corte ft [MHz]: 90 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 10. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) MJE15032. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Nota: transistor complementar (par) MJE15034G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE2955TG. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, TO-225, 300V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350G. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 400V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE5852G. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL21194. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201446. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW3281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Data de produção: 2015/04. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW21196. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2F. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Marcação na caixa: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Spec info: SMD 2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V