Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE2955TG. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Corrente do coletor: -0.5A. Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: MJE350G. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 20W. Frequência máxima: 10MHz

Transistor NPN, 8A, 400V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 450V

Transistor NPN, 450/400V, -8A, TO-220AB. Tensão coletor-emissor VCEO: 450/400V. Corrente do coletor: -8A. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 80W

Transistor NPN, -80V, -4A, TO-126. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -4A. Carcaça: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 40W. Frequência máxima: 1MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 750

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL21194. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201446. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW3281A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Data de produção: 2015/04. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW21196. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2F. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Marcação na caixa: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Spec info: SMD 2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2T. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Marcação na caixa: 2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2L. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2GM. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2GM. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: 2D. Marcação na caixa: 2D. Equivalentes: PMBTA92.215. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA42. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2D. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2D. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6E. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C