Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP4. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Material semicondutor: silício. Ic(pulso): 5A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Número de terminais: 7. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 2SB1121 e SB05-05CP integrados em um gabinete

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 65 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminais: 3. Função: hFE 5000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FN1016 . Diodo CE: sim

Transistor NPN, 3A, PCP4, 15V. Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): PCP4. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 100. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Spec info: Transistor + diode block. Diodo CE: sim

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.2A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT558. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT949. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: Tensão de saturação muito baixa

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 3A, 40V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Nota: hFE 100...400. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: TO-92

Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 160...320. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: Carcaça NÃO isolada

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: KSA642-O

Transistor NPN, 0.15A, 60V. Corrente do coletor: 0.15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: 9mm. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Transistor NPN, 0.7A, 80V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF/S. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 9mm de altura. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 2pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Marcação na caixa: A992. Equivalentes: 2SC992. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC1845. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: B1366-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) KSD2012 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: SAMSUNG. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Nota: pinagem E, C, B. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 6pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 0504-000142. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 47. Resistor BE: 47. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 12159-301-810. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Custo): 3.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: SWITCHING APPLICATION. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor PNP Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 280pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: Amplificador de áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B778. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KTD998. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS