Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: Amplificador de áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B778. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) KTD998. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Ganho mínimo de hFE: 1000. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ11016. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 300pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ11032. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11033G. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 70. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Transistor de Potência . Data de produção: 2015/08. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15003. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15015. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15016G. Frequência de corte ft [MHz]: 18 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15024. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15025G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21193G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ21196. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Aplicações de comutação e amplificador. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementar (par) 2N3055. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ2955G. Frequência de corte ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 115W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J45H11. Frequência de corte ft [MHz]: 90 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 250V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE15033G. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Nota: transistor complementar (par) MJE15034G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE2955T. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V