Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Marcação na caixa: A992. Equivalentes: 2SC992. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSC1845. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: B1366-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) KSD2012 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Nota: pinagem E, C, B. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Spec info: 0504-000142. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 47. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 47. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Spec info: 12159-301-810. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Custo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: SWITCHING APPLICATION. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor PNP Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: Amplificador de áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B778. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) KTD998. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11015G. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Frequência de corte ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementar (par) MJ11016. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 300pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ11032. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11033G. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 70. C (pol.): TO-3. Custo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Transistor de Potência . Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15003. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15015. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15016G. Frequência de corte ft [MHz]: 18 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15024. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250V, 16A, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15025G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21193G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ21196. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V