Transistores bipolares PNP

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BF422. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF450. Frequência de corte ft [MHz]: 350 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: Estágios HF e IF em receptores de rádio. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente do coletor: 0.03A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Spec info: transistor complementar (par) BF471. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VHF/UHF-V. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 30mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Função: VHF-V. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Quantidade por caixa: 1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 700 MHz. Função: Oscilador VHF. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DB. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente do coletor: 0.03A. Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 1W. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20V, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Função: UHF-V

Transistor NPN, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Corrente do coletor: 30mA. Carcaça: TO-50. Habitação (conforme ficha técnica): TO-50. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 30mA, 20V. Corrente do coletor: 30mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: UHF-V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BFN37. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 12V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 35mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP de alta frequência. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: X1p. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 150 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. Spec info: transistor complementar (par) BSP50. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP62. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: hFE 50...300. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Spec info: serigrafia/código CMS T8. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V