Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD652. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD678. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD677A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Resistor B: sim. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD679. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682G. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD810G. Frequência de corte ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-202. Habitação (conforme ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 75 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD829. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 100V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD901

Transistor NPN, 15A, 45V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): TO-220AB. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911

Transistor NPN, 5A, 45V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDP950. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDT65C. BE diodo: sim. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 15A, 100V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 130.42144

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV64BG. Frequência de corte ft [MHz]: 1000. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BDV65B

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Função: hFE 1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW47G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP