Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-202. Habitação (conforme ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 75 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementar (par) BD829. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, 100V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) BD901. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, 45V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementar (par) BD911. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD911. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, 45V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDP950. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: sim. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BDT65C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 15A, 100V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV64BG. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BDV65B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW47G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW84D. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW94C. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: transistor complementar (par) BDW93C . Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor complementar (par) BDW93CF. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: 10k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 150 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) BDX33C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDX34CG. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): TO-220AB. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: amplificador de áudio. Data de produção: 2014/32. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Nota: transistor complementar (par) BDX53C. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistores Darlington de potência complementar. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistores Darlington de potência complementar. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementar (par) BDX53F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, 50V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP