Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW47G. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW84D. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sim. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW94C. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor complementar (par) BDW93CF. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: 10k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 150 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) BDX33C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDX34CG. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO220, -100V. Carcaça: TO220. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Tipo: Transistor Darlington. Polaridade: PNP. Potência: 60W. VCBO de tensão-base do coletor: -100V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 750. Corrente máxima 1: -8A. Série: BDX54C

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistores Darlington de potência complementar. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementar (par) BDX53F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, 50V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Corrente do coletor: 0.05A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BF422. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100A

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF450. Frequência de corte ft [MHz]: 350 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: Estágios HF e IF em receptores de rádio. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente do coletor: 0.03A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Spec info: transistor complementar (par) BF471. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VHF/UHF-V. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 30mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Função: VHF-V. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v