Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AL. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: NF/S. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD139-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 3A

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Aplicações de áudio, potência linear e comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD237. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD238G. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD239C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD241C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD242CG. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD244C. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C

Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD250C. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD438. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -4A. Carcaça: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD440. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: caixa isolada . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP