Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 250. Nota: serigrafia /Código SMD C2. Marcação na caixa: C2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Nota: >120. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCW69R. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: T1. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor PNP, para AF e aplicações de comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: DKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Spec info: transistor complementar (par) BCX41. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DKs. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-TR. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Spec info: serigrafia/código SMD AA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AD. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AM. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 1.5A. Marcação na caixa: AH. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD AH. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AK. Marcação na caixa: AK. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: Transistor PNP . Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): SOT-89. Custo): TO-243. Diodo CE: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AL. Marcação na caixa: AL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AL. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: NF/S. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140-16. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Spec info: transistor complementar (par) BD139-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Aplicações de áudio, potência linear e comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) BD237. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD238G. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD239C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD241C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD242CG. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD244C. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V