Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5316. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP56-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AH. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP56-10. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP69/25. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP69. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 4.7k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor Digital de Silício PNP. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação na caixa: XUs. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: XHs. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Marcação na caixa: 3Ls. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Função: Transistor duplo de silício PNP . Spec info: serigrafia/código SMD 3Ls . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 250. Nota: serigrafia /Código SMD C2. Marcação na caixa: C2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Nota: >120. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCW69R. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: T1. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor PNP, para AF e aplicações de comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: DKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX41. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DKs. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-TR. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Spec info: serigrafia/código SMD AA

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AD. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AM. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 1.5A. Marcação na caixa: AH. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD AH

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AK. Marcação na caixa: AK. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: Transistor PNP . Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): SOT-89. Custo): TO-243. Diodo CE: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AL. Marcação na caixa: AL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AL. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: NF/S. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD139

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140-10. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP