Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD436

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD436
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD436. Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD438. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: PNP. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 12:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD437. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V
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