Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5B1. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 5C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 5C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5C. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5C. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Corrente do coletor: 100mA. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Custo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3B

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-70. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-323. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: SMD 3E. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: °C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Corrente do coletor: 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3F. Número de terminais: 3

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSSOP6. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP duplo. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: 3Ft. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código CMS 3G . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT23, 30V. Carcaça: SOT23. Tensão coletor-emissor VCEO: 30V. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: PNP. Potência: 0.25W. VCBO de tensão-base do coletor: 30V. Tipo de montagem: SMD. Largura de banda MHz: 100MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 220. Corrente máxima 1: 0.1A. Série: BC

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3L. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: SMD 3F. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 4C. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 10pF. Custo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Nota: transistor complementar (par) BC850C. Marcação na caixa: 4g. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 4G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 20V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: CEC. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C