Transistores bipolares PNP

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Corrente do coletor: 20mA. Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 13V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. FT: 1250 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

Transistor NPN, TO39, -60V. Carcaça: TO39. Tensão coletor-emissor VCEO: -60V. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: PNP. Potência: 0.65W. VCBO de tensão-base do coletor: -60V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Largura de banda MHz: 50MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 30. Corrente máxima 1: -1A. Série: BC

Transistor NPN, 0.1A, 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 120. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 180. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC212BG. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 20V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 25V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC337-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C32716. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-40. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 250-600. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, 20V, 1A, TO-92. Carcaça: TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB