Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B668. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718

Transistor NPN, 7A, 170V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 170V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Custo): 2.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 35V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 60V/50V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 3A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SD882

Transistor NPN, 12A, TO-3PN, 160V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1047. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1133

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor PNP . Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1138. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1207

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 45V/40V, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 80V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A743. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: substituir

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Corrente do coletor: 20mA. Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 13V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. FT: 1250 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 32V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: B891F. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 180pF. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: 1A. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): +175°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(máx.): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC141. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 120. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 180. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC212BG. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Diodo CE: sim