Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 120V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W

Transistor NPN, soldagem PCB, M10/J, 100V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M10/J. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623S. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623T. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Marcação na caixa: BA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: SMD BA0. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 39pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: NF/SL. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1683. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-E-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 95pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: High-Current switching, low-sat. Id(im): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1804. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 20 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V

Transistor NPN, 5A, 25V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 320 MHz. Função: Comutação estroboscópica de alta corrente. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, 110V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Nota: =4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): ATV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: TU2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: 2SB1240R. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): ATV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Ic(pulso): 4.5A. Marcação na caixa: B1243 (RN). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, 100V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: >2000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Nota: =10000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Ganho máximo de hFE: 10000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1933. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L. Ganho máximo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Ic(pulso): A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2394. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, 150V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2401. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V