Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: TV-NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4381. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: NF-L. Ganho mínimo de hFE: 50. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4466. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4672. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4793. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: TV, SL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5171. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Custo): 320pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: A1941. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5198. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: A1943 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 25 MHz. Função: NF-HI-FI. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5242. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, 230V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5359. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Spec info: transistor complementar (par) 2SC5707. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ic(pulso): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5707. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3SG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Drivers de relé, drivers de lâmpadas, drivers de motor. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 150. Ic(pulso): 25A. Marcação na caixa: A2210. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC6082. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-1, 20V, 10mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.05W

Transistor NPN, 0.4A, 40V. Corrente do coletor: 0.4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 35V/30V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corrente do coletor: 0.4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: uso geral. Nota: hFE 70...140. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Spec info: 2SA562-O. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corrente do coletor: 0.4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: uso geral. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Spec info: KTA562-Y. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 60V/40V, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 160. Id(im): 0.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30V/25V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 60V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 0.5A, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 65V/60V, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 2.5A, 35V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 160 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementar (par). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30V/25V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W