Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 100pF. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) 2N6517. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: S-L, Low-sat. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2562. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Marcação na caixa: A1013-Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92, 2-5F1B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1162. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: hFE.120-240. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: 1015 Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1815Y. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, RM-60, 120V, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: RM-60. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W

Transistor NPN, 10A, 140V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2581. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 200V, 17A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 17A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 17A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): PNP. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 200V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SA1120. Frequência de corte ft [MHz]: 170 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 130. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: A1123. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo de plaina epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 60V/55V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/55V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 15A. Marcação na caixa: A1141. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Nota: 9mm. Marcação na caixa: A1145 O. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2705. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: VCE(sat) 2V max. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2706. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 35V/30V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: 47. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 47. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D6/C, 30V/20V, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 55V/50V, 150mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 55V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Corrente do coletor: 0.07A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--MP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta tensão . Ic(pulso): 0.14A. Nota: 9mm de altura. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2910. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): 2-5K1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: NY. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafia / código SMD NY. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V