Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 140mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: A1209. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2911

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): 2-5K1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: NY. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / código SMD NY. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, D3/B, 30V/20V, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D3/B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI, NF-E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3182. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tf(máx.): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente do coletor: 17A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3264. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3280

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3281

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3284. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3298. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Io-sat. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3299

Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3421Y. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.05A. Habitação (conforme ficha técnica): 2-8H1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3423 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. C (pol.): 1.7pF. Custo): 2.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Função: vídeo. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100(TO3P). Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Marcação na caixa: A1386A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Peso: 6g. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3519A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 60V/50V, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 5A, 35V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30V/25V, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Marcação na caixa: A1492. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3856

Transistor NPN, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3953