Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V - 2SA1301

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V - 2SA1301
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Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V - 2SA1301. Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3280. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Custo): 1.7pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Custo): 1.7pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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