Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 80V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 20V/15V, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.03A, 30 v. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, 20V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 40V/32V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2073. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: áudio/vídeo. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Spec info: 9mm de altura. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2240. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2275. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 60V/50V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 120V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W

Transistor NPN, soldagem PCB, M10/J, 100V, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M10/J. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623S. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623T. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Marcação na caixa: BA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: SMD BA0. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 39pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: NF/SL. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1683. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-E-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V