Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.5A, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 65V/60V, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 2.5A, 35V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 160 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par)

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30V/25V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 55V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 55V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 35V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 80V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 150V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 20V/15V, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 100V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30V/20V, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 0.03A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): PNP. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 30 v

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): D8A/C. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 45V/35V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 90V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 1A, 20V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 90V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 40V/32V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: áudio/vídeo. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 9mm de altura

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2240. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS