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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V - 2SB1185

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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V - 2SB1185. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-E-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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