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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSA940
Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor PNP . Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1138. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor PNP . Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1138. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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