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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S

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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623S. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Produto original do fabricante Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 22:25.

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Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4672. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC4672. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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