Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 50V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W

Transistor NPN, soldagem PCB, M17/J, 90V/80V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M17/J. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V/80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20V/15V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 25V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD468. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V

Transistor NPN, 0.1A, SC-71, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SC-71. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 30V/25V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 27pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B668. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, 170V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 170V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 35V, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 60V/50V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD882. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3PN, 160V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1047. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1133. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Resistor B: 10. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 47. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor PNP . Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1138. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1207. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 45V/40V, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 80V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A743. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: substituir