Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65 MHz. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2438. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2439. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( SOT-93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 110V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2495. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: Amplificador e regulador de potência de áudio HI-FI. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2560. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): MT-25 (TO220). Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. BE diodo: NINCS. Custo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho mínimo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2589 . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-1, 30 v, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.125W

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corrente do coletor: 0.15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. Nota: >30. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 35V, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 1.5A, 35V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 50V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W

Transistor NPN, soldagem PCB, M17/J, 90V/80V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M17/J. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V/80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, M17/J, 40V/20V, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M17/J. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20V/15V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 25V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD468. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V

Transistor NPN, 0.1A, SC-71, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SC-71. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 30V/25V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 27pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B668. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, 170V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 170V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V