Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.1A, 20V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 25V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -60V. C (pol.): -0.5A. Custo): 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.65 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C32716. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 160-400. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 260 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-25. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC327-40. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: hFE 250-600. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC337-40. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -30V. C (pol.): -0.8A. Custo): 0.63W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC369. Frequência de corte ft [MHz]: 45 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, -20V, -1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -20V. Corrente do coletor: -1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 0.625W

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: TO18

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.4A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 3000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: transistor complementar (par) BC517

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC517. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC546B

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, -65V, -0.1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -65V. Corrente do coletor: -0.1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Potência: 0.5W