Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Spec info: TO18. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.4A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 3000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) BC517. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC517. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 65V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Frequência de corte ft [MHz]: 280 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC546C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 110. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC547A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Frequência de corte ft [MHz]: 320 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 10pF. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC547C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557B. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC557C. Frequência de corte ft [MHz]: 320 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação e amplificador AF. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C559A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 200...450. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC550B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 380. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Data de produção: 1997.04. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo). Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Corrente do coletor: 1A. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC640-16. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementar (par) BC639-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC640. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Marcação na caixa: 5B. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 5B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V