Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.41€ | 0.50€ |
5 - 9 | 0.39€ | 0.48€ |
10 - 24 | 0.37€ | 0.46€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
50 - 99 | 0.46€ | 0.57€ |
100 - 149 | 0.43€ | 0.53€ |
150 - 964 | 0.41€ | 0.50€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.41€ | 0.50€ |
5 - 9 | 0.39€ | 0.48€ |
10 - 24 | 0.37€ | 0.46€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
50 - 99 | 0.46€ | 0.57€ |
100 - 149 | 0.43€ | 0.53€ |
150 - 964 | 0.41€ | 0.50€ |
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC557C. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): 10pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC547C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 13:25.
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