Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640

Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640
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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A - BC640. Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo). Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Corrente do coletor: 1A. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 17:25.

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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo). Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Corrente do coletor: 1A. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W
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Transistor NPN, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo). Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Corrente do coletor: 1A. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W
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