Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3A

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-70. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-323. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: °C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3E

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSSOP6. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: 3Ft. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor PNP duplo

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código CMS 3G . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3L. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 4C. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. C (pol.): 10pF. Custo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Nota: transistor complementar (par) BC850C. Marcação na caixa: 4g. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 20V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: CEC. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF/S. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 145 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP51/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP54-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 145 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP52/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP55-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP53-10. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AH-10. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP