Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 27pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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