Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 03:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC556B. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC546B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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