Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.0499€ | 0.0614€ |
10 - 24 | 0.0474€ | 0.0583€ |
25 - 49 | 0.0459€ | 0.0565€ |
50 - 99 | 0.0449€ | 0.0552€ |
100 - 249 | 0.0439€ | 0.0540€ |
250 - 499 | 0.0389€ | 0.0478€ |
500 - 4919 | 0.0375€ | 0.0461€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.0499€ | 0.0614€ |
10 - 24 | 0.0474€ | 0.0583€ |
25 - 49 | 0.0459€ | 0.0565€ |
50 - 99 | 0.0449€ | 0.0552€ |
100 - 249 | 0.0439€ | 0.0540€ |
250 - 499 | 0.0389€ | 0.0478€ |
500 - 4919 | 0.0375€ | 0.0461€ |
Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código CMS 3G . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Diotec. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.
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