Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DB. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente do coletor: 0.03A. Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 1.6pF. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 1W. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 1W. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20V, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN. Função: UHF-V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Corrente do coletor: 30mA. Carcaça: TO-50. Habitação (conforme ficha técnica): TO-50. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Carcaça: SOT-37. Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Frequência máxima: 900 MHz. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 30mA, 20V. Corrente do coletor: 30mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Material semicondutor: silício. Função: UHF-V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BFN37. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 12V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 35mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: X1p. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Resistor BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BSP50. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP62. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: hFE 50...300. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Spec info: serigrafia/código CMS T8. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Função: VHR758 EV. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: transistor complementar (par) CSD1133

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 20A. Equivalentes: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D45H11G. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D45H8G. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor NPN, -80V, -15A, TO–220AB. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -15A. Carcaça: TO–220AB. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 83W. Frequência máxima: 50 MHz

Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corrente do coletor: 50mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 14. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 14

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor Digital (Resistor de Bias Integrado). Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 14. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 14

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistores digitais (resistores integrados). Marcação na caixa: 15. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Spec info: serigrafia/código SMD 15. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SC-72. Habitação (conforme ficha técnica): SC-72 ( D143 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 47k Ohms. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor equipado com resistor PNP. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD 19. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. FT: 190 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 480. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) FMMT619. Spec info: impressão de tela/código SMD 720