Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G

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Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G. Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 120pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 05:25.

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Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 15W. Frequência máxima: 40 MHz. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE243
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