Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE210G

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE210G
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Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE210G. Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1
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