Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15031G

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15031G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15031G. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 00:25.

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MJE15031

MJE15031

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (co...
MJE15031
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE15031
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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